金剛石鍍膜介紹

金剛石具有高硬度，高彈性模量，良好的導(dǎo)熱性能與化學(xué)穩(wěn)定性，以及其低摩擦系數(shù)，耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，使其成為現(xiàn)代機(jī)械加工中較為理想的涂層材料。

目前制備金剛石薄膜制備方法主要有化學(xué)氣相沉積(CVD)和高溫高壓合成兩種方法。其中金剛石薄膜的CVD法又主要分為微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)和熱輔助化學(xué)氣相沉積(HFCVD)兩種。但模擬天然金剛石生成環(huán)境的高溫高壓法會限制薄膜大小和質(zhì)量；當(dāng)下的HFCVD技術(shù)雖然可以較快地制備出大面積、高均勻度的金剛石薄膜，但所含雜質(zhì)較高；現(xiàn)較為成熟的MPCVD裝置可以制備出高質(zhì)量、較大面積的金剛石薄膜，但MPCVD法制備的金剛石薄膜仍然具有晶粒尺寸較大的問題。

  MPCVD 法制備高質(zhì)量的單晶金剛石需要十分嚴(yán)格的生長條件，在生長過程中會受到各方面因素的影響，同時(shí)沉積參數(shù)之間也會相互產(chǎn)生影響，其中產(chǎn)生主要影響的有襯底預(yù)處理、微波功率密度及甲烷濃度、氮?dú)獾奶砑拥取?/span>