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真空技術(shù)

pvd cvd 理解

2018-06-19 點擊數(shù):1049

PVD  CVD理解

氣相沉積是一種在基體表面形成功能膜層的技術(shù),它是利用物質(zhì)在氣相中產(chǎn)生的物理或()化學(xué)反應(yīng)而在產(chǎn)品表面沉積單層或多層的、單質(zhì)或化合物的膜層,從而使產(chǎn)品表面獲得所需的各種優(yōu)異性能。氣相沉積作為一種表面鍍膜方法,其基本步驟有需鍍物料氣相化->輸運->沉積。它的主要特點在于不管原來需鍍物料是固體、液體或氣體,在輸運時都要轉(zhuǎn)化成氣相形態(tài)進行遷移,最終到達(dá)工件表面沉積凝聚成固相薄膜。

氣相沉積主要分為兩大類:

化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,簡稱CVD);

物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,簡稱PVD)

 最初,人們利用易揮發(fā)的液體TiCI稍加熱獲得TiCI氣體和NH氣體一起導(dǎo)入高溫反應(yīng)室,讓這些反應(yīng)氣體分解,再在高溫固體表面上進行遵循熱力學(xué)原理的化學(xué)反應(yīng),生成TiNHCI,HCi被抽走,TiN沉積在固體表面上成硬質(zhì)固相薄膜。人們把這種通過含有構(gòu)成薄膜元素的揮發(fā)性化合物與氣態(tài)物質(zhì),在固體表面上進行化學(xué)反應(yīng),且生成非揮發(fā)性固態(tài)沉積物的過程,稱為化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)

同時,人們把另一類氣相沉積,即通過高溫加熱金屬或金屬化合物蒸發(fā)成氣相,或者通過電子、等離子體、光子等荷能粒子的能量把金屬或化合物靶濺射出相應(yīng)的原子、離子、分子(氣態(tài)),在固體表面上沉積成固相膜,其中不涉及到物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)(分解或化合),稱為物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)。

我們?nèi)匀话凑找延械牧?xí)慣,主要以上述鍍料形態(tài)的區(qū)別來區(qū)分化學(xué)氣相沉積和物理氣相沉積,把固態(tài)(液態(tài))鍍料通過高溫蒸發(fā)、濺射、電子束、等離子體、離子束、激光束、電弧等能量形式產(chǎn)生氣相原子、分子、離子(氣態(tài),等離子態(tài))進行輸運,在固態(tài)表面上沉積凝聚(包括與其他反應(yīng)氣相物質(zhì)進行化學(xué)反應(yīng)生成反應(yīng)產(chǎn)物),生成固相薄膜的過程稱為物理氣相沉積。

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