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高效HJT 電池

2019-11-04 點(diǎn)擊數(shù):627

高效HJT 電池

HJT電池是一種可以低成本實(shí)現(xiàn)的高效晶體硅太陽(yáng)能電池。該電池是以高壽命的n型硅為襯底,在經(jīng)過(guò)制絨清洗的硅片正面依次沉積本征非晶硅薄膜、p型非晶硅薄膜,從而形成p-n異質(zhì)結(jié)。在硅片背面依次沉積本征非晶硅薄膜、n型非晶硅薄膜形成背表面場(chǎng)。然后在摻雜的非晶硅薄膜的兩側(cè)沉積透明導(dǎo)電氧化物薄膜,最后通過(guò)絲網(wǎng)印刷技術(shù)在兩側(cè)形成金屬電極,形成具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)的HJT太陽(yáng)能電池,該電池結(jié)構(gòu)具有工藝步驟少、制程溫度低、無(wú)LID與PID效應(yīng)、溫度系數(shù)低、效率高等優(yōu)點(diǎn),目前效率最高記錄已達(dá)26.33%。

HJT電池的結(jié)構(gòu)和工藝與常規(guī)硅基太陽(yáng)電池有很大的區(qū)別,總的來(lái)說(shuō),HJT太陽(yáng)電池具有如下特點(diǎn):

(1)結(jié)構(gòu)對(duì)稱

(2)低溫制造工藝

(3)高開(kāi)路電壓

(4)溫度特性好

(5)無(wú)LID與PID效應(yīng)

HJT電池也存在一定的問(wèn)題,例如:

(1)設(shè)備投資高,由于采用了薄膜沉積技術(shù),需要用到高要求的真空設(shè)備;

(2)工藝要求嚴(yán)格,獲得低界面態(tài)的非晶硅/晶體硅界面,對(duì)工藝環(huán)境和操作要求也比較高;

(3)透明導(dǎo)電薄膜一般為氧化銦摻雜金屬氧化物成本偏高,低溫銀漿電阻率偏高導(dǎo)致銀漿單耗居高不下;

(4)需要低溫組件封裝工藝,由于HJT電池的低溫工藝特性,不能采用傳統(tǒng)晶體硅電池后續(xù)高溫封裝工藝,需要開(kāi)發(fā)適合的低溫封裝工藝。

 

 

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